銅張セラミック基板は高電圧大功率IGBTモジュールの重要構(gòu)成部品として、セラミックの高熱伝導性、高電気絶縁性、高機械強度などの特徴を備えているだけでなく、無酸素銅の高導電性と優(yōu)れた溶接性を備え、各種パターンを作ることもできて、SICチップ、大功率IGBTモジュール、半導體用冷卻?加熱部品のパッケージング材に適用する素材です。
DCB(Direct Copper Bonding)とは銅箔をセラミックの表面に焼結(jié)した電子基礎材料であり、優(yōu)れた熱循環(huán)性、高い機械強度、高い熱伝導率、高い絶縁性と高電流耐流能力を備えています。
活性金屬ロウ付け(Active Metal Brazing)工法は、DBC工法を更に進化させたものであり、ロウ付け材料に含まれている少量の活性金屬Ti、Zrとセラミックの反応を利用して、液體ロウ付け材料で濡れる反応層を生成することで、セラミックと金屬をボンディングさせる工法です。
DPC(Direct plating copper)製品は非常に高い精密度を持ち、主にマグネトロンスパッタリング方式で銅メッキを施してから、表面処理により、基板の溶接可能性と抗酸化性を高め、より優(yōu)れた平坦度とより強い結(jié)合力を持つ精細な回路を作成することができます。